科学家开发出芯片堆叠新工艺—新闻—科学网
结果显示，科学这种结构极其适合多层集成。家开这一突破有望缓解人工智能（AI）面临的发出存储瓶颈。放置和电气互联一气呵成。芯片新工学网堆叠难度显著提升。堆叠在同样垂直高度内，艺新堆叠超薄芯片面临极大难题。闻科团队制备了厚度约14微米的科学超薄硅芯片，图像生成AI和自动驾驶为代表的家开AI服务有一个共同要求：必须以极高速度处理海量数据。从而显著增强AI半导体的芯片新工学网性能，在低温（低于180℃）和低压（低于2万帕斯卡）的堆叠温和条件下，团队将转移印刷与原位黏合两种技术融合在同一个工艺平台上。艺新并不意味着代表本网站观点或证实其内容的闻科真实性；如其他媒体、 特别声明：本文转载仅仅是科学出于传播信息的需要，转移印刷负责将芯片精准放置到目标位置；原位黏合则使芯片在转移过程中同步完成键合。科学家不再一味横向铺展芯片，而是让其垂直堆叠，
| 科学家开发出芯片堆叠新工艺 |
韩国工业技术研究所和浦项科技大学科学家开发出一项新工艺，换句话说，所得的集成密度（总封装厚度）内可堆叠的芯片层数约是传统12层HBM结构的4倍。能稳定堆叠10余片超薄半导体芯片，
为验证新工艺，当芯片厚度减至数十微米，翘曲甚至断裂。利用该工艺，即便多次堆叠之后，须保留本网站注明的“来源”，
为突破上述局限，就像城市用地紧张时，请与我们接洽。相关论文发表于新一期《工程成果》杂志。HBM正是通过垂直堆叠多个存储芯片构建而成。此外，将极大提升给定空间内的芯片集成度，成功堆叠了10余片超薄芯片。
这项技术一旦商业化，由此实现了约4倍于商用高带宽存储器（HBM）的集成密度。因此有望成为未来高性能AI芯片与下一代存储系统的关键技术。图片来源：《工程成果》杂志
以ChatGPT、层间对准误差依然极小，随着层数增加，结构翘曲也被显著抑制，变得比头发丝还细时，为提升AI芯片的性能，每片都集成垂直电信号路径和横向再分配布线，图片来源：《工程成果》杂志" style="border: 0px; vertical-align: middle; object-fit: cover; display: block; margin: 0px auto !important; width: auto !important; height: auto !important;" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-07/13/546510_ceb8d2e2-e84d-46ff-a03f-894c28e52b5d.jpg" compresssuccess="1" data-id="251114" data-wenge-id="251114" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/6a558ad9e4b078fce44ad347.jpeg" id="img-null">
然而，展现出广阔的应用前景。
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